关于光波导,你想知道的都在这里
2025-07-21 16:58:40

想象一下,你打开手电筒,光束会迅速扩散变暗,能量散失在空气中。这是光在均匀介质(比如空气)中传播的天然特性——它会“散架”。但科学家们发明了一种神奇的结构,能把光像驯服的野马一样牢牢“关”在特定路径里,让它跑得又远又稳!这就是光波导技术,现代通信和芯片的基石。



1.光波导:给光造条“高速公路”


光波导的核心原理,就像一个精心设计的光学“三明治”:

中间层(芯层):由高折射率(n1)材料构成,比如特殊处理的玻璃或半导体(如硅)。

上下/周围层(包层):由低折射率(n2)材料构成(n2<n1),通常是普通玻璃或二氧化硅。


在这个结构中,存在一些特殊的光场分布(科学家称之为本征模场Eg(x,y))。当光以这种特定的“姿态”沿着波导的长度方向(Z方向)传播时,它的横截面形状(Eg(x,y))神奇地保持不变!光能量被有效地约束在芯层中,不再向四周扩散。


怎么“关”住光的?全反射的功劳!


从射线光学的角度看,当光线以大于临界角(θc=arcsin(n2/n1))的角度射入芯层与包层的界面时,会发生全反射。光线就像在两面镜子之间来回反弹,被牢牢地限制在芯层内部向前奔跑,能量几乎不泄露。这就像给光修建了一条带有完美反光墙的管道。


光纤:光波导的明星代表


最成功的例子就是光导纤维。它本质上是一种同轴的圆柱形光波导。中间是高折射率的玻璃纤芯,外面包裹着低折射率的玻璃包层。利用全反射原理,光信号可以在光纤中传输数十甚至数百公里,光斑大小几乎不变,支撑起了庞大的全球互联网。


单模vs多模:高速公路的“车道”数


一条光波导“高速公路”上,可能只有一种稳定的光场分布(一个本征模),也可能有多种。单模波导只有一条“车道”(一个模式),光信号在其中传播时干扰小、保真度高,在追求高速度和低串扰的光子集成芯片(硅光芯片等)中地位极其关键。多模波导则有多条“车道”(多个模式),能传输更多光功率,但模式间容易互相干扰,适用于短距离或对带宽要求不那么极致的场景。


芯片上的光路:条状与脊状


在光子集成芯片这块“微缩城市”里,光波导是连接各个光学“建筑”(器件)的“街道”。最常见的两种“街道”截面是:


条形光波导:芯层(n1)像一根细条,被包层(n2)从四面八方完全包围,光被紧密约束。


脊形光波导:芯层(n1)下方是平板层,两侧和上方是包层(n2)。这种结构通常更容易制造,对光的约束能力介于条形和纯平板之间。


2.现实骨感:光波导的“能量损耗”


理想很丰满,现实却很骨感。理论上,完美的光波导能让本征模场能量无损传播无限远。但现实中,光在波导里跑着跑着,能量还是会衰减,这就是损耗。它是决定光波导性能(尤其是传输距离)的关键因素。主要损耗来源有四大“杀手”:



1.“吃货”材料:吸收损耗


构成波导的材料本身会“吃”光(吸收光子)。比如:


半导体(硅、磷化铟等):如果光的能量(对应波长)大于材料的“禁带宽度”,就能激发电子跃迁,产生强烈吸收。设计时必须避开这些“危险”波长区域。


玻璃(如SiO₂):虽然本身透明,但制备过程中残留的杂质(尤其是氢元素H)会形成O-H化学键。这些键特别喜欢吸收特定波长的光,比如在通信波段1.4微米附近形成显著的“水峰”吸收损耗。提纯材料至关重要。


2.“捣蛋鬼”:缺陷损耗


波导在制造过程中,难免会混入杂质(灰尘、金属离子等)或产生气泡、密度不均等缺陷。这些“捣蛋鬼”会散射或吸收光,偷走能量。华裔科学家高锟的伟大贡献就在于,他深刻认识到并成功解决了早期玻璃光纤中杂质导致的巨大损耗问题,将损耗降到了实用水平,彻底点燃了光纤通信革命,并因此荣膺2009年诺贝尔物理学奖。


3.“粗糙路面”:散射损耗


理想情况下,芯层和包层的界面应该像镜子一样光滑平整。但实际工艺(如刻蚀)会使得界面存在纳米甚至亚纳米级的粗糙度。光在这些“坑洼路面”上奔跑时,会被无情地“颠”出预定路径(散射),造成能量损失。对于硅基光波导这种芯层和包层折射率差很大的“高速路”,界面散射是损耗的“头号元凶”,对工艺精度要求极高。


4.“急转弯”:弯曲损耗


芯片上的光路不可能全是直的,总需要转弯抹角。当波导弯曲时,原有的完美约束结构被破坏。部分光,特别是靠近弯道外侧的光,会因“离心力”过大而“甩”出波导,泄露到包层甚至外面,这就是弯曲损耗。


如何“减速过弯”?工程师们有招:


增大折射率差(n1-n2):相当于加高“围墙”,让光更难“翻墙”跑掉。


增大弯曲半径:避免“急转弯”,让弯道更平缓。


优化弯曲形状:设计特殊的“缓和曲线”(如欧拉螺线)代替简单的圆弧弯,让光能更平滑地转向,减少“甩尾”。


3.光的“分裂人格”:波导双折射


光是一种电磁波,具有偏振特性——电场(E)和磁场(H)的振动方向。在波导中,通常存在两类最基本的“跑步姿势”(本征模):


横电模(TE):电场(E)主要在垂直于光传播方向(Z)的平面内振动。


横磁模(TM):磁场(H)主要在垂直于光传播方向(Z)的平面内振动。


问题来了:在同一个光波导里,TE模和TM模的“跑步速度”(传播常数β)或者它们感受到的“道路阻力”(模式有效折射率neff)常常不一样!这种现象就叫双折射。它导致不同偏振的光在波导中传播时行为不同,是很多光学器件(尤其是干涉型器件)的“噩梦”。


双折射的三大“推手”:


1.“天生不同”:材料双折射


有些波导材料本身就是“各向异性”的晶体,不同方向上的折射率天然不同。比如大名鼎鼎的铌酸锂(LiNbO₃)波导。这种材料本身对TE光和TM光的折射率就有差异,做成的波导自然带有强烈的材料双折射烙印。


2.“压力山大”:应力双折射


即使材料本身是“各向同性”的非晶体(如SiO₂玻璃),在制造过程中,不同材料层之间热膨胀系数不匹配,或者沉积、退火工艺控制不当,都会在波导内部引入应力。应力会让材料产生形变,通过“弹光效应”改变折射率,而且这种改变在水平和竖直方向上往往不一致,从而导致了应力双折射。对于SiO₂波导,这是双折射的主要来源。




3.“身材惹的祸”:结构双折射


就算芯层和包层材料都是完美各向同性的,只要波导的横截面形状不是完美的圆形或正方形(具有不对称性,比如矩形),TE模和TM模感受到的“约束”程度也会不同。例如,一个硅条形波导,如果宽度和高度相差很大(高宽比大),那么它对水平偏振(TE)和竖直偏振(TM)光的限制能力就有显著差异,从而产生很强的结构双折射。工程师可以通过精细设计波导的几何尺寸来调控这种双折射。


双折射的麻烦:


想象一个设计用来过滤特定波长光的滤波器。如果输入光的偏振不确定(TE或TM),由于双折射,TE光和TM光看到的“滤波中心波长”会不一样!结果就是,同一个滤波器,对一种偏振效果好,对另一种偏振效果差,甚至完全失效。这在需要偏振不敏感的应用中是灾难性的。因此,在芯片设计时,理解和控制双折射是核心挑战之一。


4.芯片上的“精雕细琢”:光波导的诞生之旅


不同材料体系(硅、磷化铟、氮化硅、铌酸锂等)的光波导芯片制造工艺各有千秋。这里以广泛应用于通信领域的硅基二氧化硅(SiO₂onSi)光波导为例,看看这些承载光信号的“微米级街道”是如何在工厂里一步步“雕刻”出来的:


1.打地基:硅片氧化


首先,把纯净的硅片放入高温氧化炉(通常是湿氧环境)。硅片表面会与氧气/水蒸气发生反应,生长出一层致密、高质量的二氧化硅(SiO₂)薄膜。这层膜最终会成为波导的下包层,有时也充当芯片与硅衬底之间的绝缘层。


2.铺路基:沉积下包层


在氧化后的硅片正面,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,沉积一层相对较厚的纯SiO₂。这层沉积的SiO₂作为波导结构真正的下包层(n2),需要良好的均匀性和低缺陷密度。


3.“画”道路:沉积芯层


继续使用PECVD技术,在下包层上沉积一层特殊掺杂的SiO₂薄膜(如掺锗、掺磷等)。掺杂原子的引入,使得这层膜的折射率(n1)略高于纯SiO₂包层(n2),满足了波导芯层的基本要求。这层膜就是未来的光“通道”。


4.描蓝图:涂胶与光刻


在芯层材料上均匀地旋涂一层光刻胶(一种对光敏感的光化学材料)。然后,将包含所有波导设计图案的掩模版(相当于照相底片)覆盖在芯片上方,用特定波长的光(如紫外光)进行照射(曝光)。曝光后,利用化学溶剂(显影液)处理,被光照区域(或未被光照区域,取决于光刻胶类型)的光刻胶会被溶解掉。这样,掩模版上的精密图案就转移到了光刻胶上。


5.“雕刻”道路:刻蚀芯层


把覆盖着图案化光刻胶的芯片放入等离子体刻蚀机。通入特定的反应气体(如含氟气体刻蚀SiO₂),在高能等离子体轰击下,没有被光刻胶保护的那部分芯层材料会被选择性地“挖掉”(刻蚀掉)。刻蚀完成后,光刻胶下面的芯层材料就被保留下来,形成了设计好的波导图案(条形或脊形)。


6.清理“脚手架”:去除光刻胶


用专门的溶剂或等离子体灰化技术,将完成刻蚀后残留在芯层上的光刻胶彻底去除干净。此时,芯片表面只剩下构成光波导网络的凸起芯层结构。


7.“盖顶”保护:沉积上包层


再次使用PECVD设备,在整个芯片表面(包括凸起的波导芯层及其周围)沉积一层厚厚的纯SiO₂。这层膜就是上包层(n2)。它将芯层完全覆盖、包裹起来,实现光的全反射约束,同时也保护芯层结构免受外界污染和物理损伤。


8.“退火”疗愈:消除缺陷


最后一步是高温退火。将芯片放入特定气氛(如氮气)的高温炉中处理一段时间。这个过程非常重要:


消除PECVD沉积上包层过程中可能引入的微孔洞(空洞)。


降低薄膜的应力,减少应力双折射。


改善薄膜致密度,降低光散射损耗。


修复部分键合结构,提高材料的稳定性。


至此,承载着精密光波导网络的芯片晶圆(Wafer)就制作完成了!后续还需要经过切割(把大晶圆切成单个小芯片)、边缘研磨抛光(形成光滑的端面以便高效耦合进出光)等步骤,才能得到最终可封装集成的光子芯片成品。


光波导技术,从原理上巧妙利用了光在不同材料界面的全反射现象,成功地将自由奔放的光束缚在微米甚至纳米尺度的通道内,实现了光能量的高效、低损耗、长距离传输。它不仅是现代光纤通信网络的绝对核心,更是驱动着光子集成芯片(PIC)这场革命性浪潮的底层引擎。从智能手机里的激光雷达传感器,到数据中心里高速运转的光模块,再到未来量子计算机的互连,光波导的身影无处不在。


尽管工程师们不断挑战极限,努力降低损耗、控制双折射、提升集成密度,但这条“光的微缩高速公路”的探索与优化永无止境。每一次工艺的突破,每一种新材料的引入,都让我们离“光速互联”的未来更近一步。下一次当你享受高速网络冲浪时,不妨想想那些在芯片内部、在跨越海洋的光缆中,沿着这些“隐形通道”飞驰的光信号,正是光波导这门精妙的科学,让信息的洪流得以在指尖流淌。

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